FF200R12KT3

کد : H-GE-321

عدم موجودی
توضیحات :

IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست . . .

ویژگی های ظاهری 


شکل

مکعب مستطیل

جنس بدنه

سرامیک

ابعاد

106.4×61.4×30 میلیمتر

رنگ

سفید

تعداد پایه

7 عدد

قابلیت نصب روی برد

دارد

قابلیت نصب روی هیت سینگ

دارد


ویژگی های فنی


نوع

IGBT

شماره شناسه

FF200R12KT3

ولتاژ

1200V

جریان

200A

توان

1050W

توان حرارتی

40°C to +125°C–


 

ویژگی های کلی


برند

nfineonI

کشور سازنده

آلمان


 

کاربرد


در مدارات و سیستم های الکترونیک و کنترل و الکترونیک صنعتی، اینورترها، UPS، کنترل کننده موتور DC و ...


معرفی محصول

 IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک  MOSFET  و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.

ماژول  FF200R12KT3از سری ماژول های قدرت می باشد. مدار داخل این ماژول از 2 عدد IGBT تشکیل شده است. ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل 1200 ولت و ماکزیمم جریان 200 آمپر می باشد. از این ماژول در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.



لطفا برای ارسال نظر، ابتدا وارد سیستم شوید و یا ثبت نام کنید .

محصولات مرتبط