7MBR15NE120

کد : H-GE-324

عدم موجودی
توضیحات :

IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست. . .

ویژگی های ظاهری 


شکل

مکعب مستطیل

جنس بدنه

پلاستیک فشرده

ابعاد

116×60×20 میلیمتر

رنگ

مشکی

تعداد پایه

21 عدد

قابلیت نصب روی برد

دارد

قابلیت نصب روی هیت سینگ

دارد


ویژگی های فنی


نوع

IGBT

شماره شناسه

7MBR15NE120

ولتاژ

1200V

جریان

15A

توان

120W

توان حرارتی

40°C to +125°C–


 

ویژگی های کلی


برند

FUJI

کشور سازنده

ژاپن


 

کاربرد


در مدارات و سیستم های الکترونیک و کنترل و الکترونیک صنعتی، اینورترها، UPS، کنترل کننده موتور DC و ...


معرفی محصول

 IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک  MOSFET  و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.

ماژول  7MBR15NE120از سری ماژول های قدرت می باشد. مدار داخلی این ماژول از 7 عدد IGBT همراه با 6 عدد دیود به صورت پل دیودی سه فاز تشکیل شده است. ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل 1200 ولت و ماکزیمم جریان 15 آمپر می باشد. از این ماژول در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.



لطفا برای ارسال نظر، ابتدا وارد سیستم شوید و یا ثبت نام کنید .

محصولات مرتبط